China desenvolve a memória Flash mais rápida do mundo com escrita em apenas 400 picossegundos.

Nova memória Flash da Fudan consome pouca energia e elimina gargalos em IA, com escrita 2.500 vezes mais rápida que SSDs comuns.

Um avanço tecnológico promissor acaba de sair dos laboratórios da Universidade de Fudan, em Xangai. Pesquisadores liderados pelo professor Zhou Peng desenvolveram a primeira memória Flash do mundo capaz de escrever dados em apenas 400 picossegundos — tempo equivalente a um trilionésimo de segundo.

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Trata-se de uma inovação sem precedentes no setor de armazenamento digital, com potencial para transformar o desempenho de dispositivos e sistemas que exigem resposta em tempo real.

Comparativo de velocidade de escrita das memórias atuais vs. PoX (Fudan University)

Afinal, o que é um picossegundo?

Um picossegundo (ps) equivale a um trilionésimo de segundo ou 0,000000000001 segundos (10⁻¹² s). Trata-se de uma escala de tempo tão minúscula que ações humanas comuns ou mesmo processos eletrônicos rápidos parecem extremamente lentos em comparação.

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Para entender melhor o quão impressionante é alcançar uma velocidade de escrita de 400 picossegundos, veja a tabela abaixo comparando o picossegundo com outras escalas de tempo que usamos em ciência e no cotidiano:

Tabela comparativa de escalas de tempo

A escala demonstra como o avanço da memória PoX da Universidade de Fudan não é só um salto tecnológico, mas um marco no limite da física e da engenharia atual.

Estamos falando de operações ocorrendo em trilionésimos de segundo, o que abre portas para uma nova era de desempenho computacional.

PoX: a nova geração de chips de memória

O chip batizado de PoX (Phase-change Oxide) estabelece uma nova referência em memória não volátil. Diferentemente das tecnologias atuais como SSDs e pendrives — que operam em micro ou milissegundos — a PoX realiza operações milhares de vezes mais rápido, mantendo os dados mesmo quando o dispositivo está desligado.

Para efeito de comparação, memórias RAM como SRAM e DRAM, embora rápidas, perdem todos os dados quando há interrupção de energia. A PoX, por sua vez, combina velocidade de acesso extrema com persistência dos dados, o que a torna ideal para aplicações em inteligência artificial e computação de alto desempenho.

Grafeno e superinjeção: os segredos da velocidade

A equipe da Fudan inovou ao substituir o silício tradicional por grafeno de Dirac bidimensional, material conhecido por sua condutividade elétrica excepcional. A troca permitiu o desenvolvimento de um fenômeno chamado superinjeção 2D, no qual cargas elétricas fluem de maneira quase ilimitada e extremamente rápida para a camada de armazenamento do chip.

Ao utilizar algoritmos de IA para otimizar o processo de testes, conseguimos avançar significativamente e abrir caminho para aplicações futuras dessa tecnologia

Professor Zhou Peng, explicando a tecnologia à agência Xinhua

Além do grafeno, os pesquisadores ajustaram o comprimento gaussiano do canal de memória, o que contribuiu para alcançar velocidades antes inimagináveis em memórias não voláteis.

Aplicações práticas e próximos passos

A equipe já produziu um chip funcional em escala reduzida, com resultados animadores na fase de validação física (tape-out). Agora, o próximo desafio é integrar a tecnologia PoX em dispositivos reais como smartphones e computadores, onde a demanda por armazenamento rápido e eficiente cresce exponencialmente.

Segundo o pesquisador Liu Chunsen, do Laboratório Nacional de Sistemas e Chips Integrados da Fudan:

Com essa tecnologia integrada, não teremos mais gargalos como travamentos ou superaquecimento ao executar modelos locais de IA nos dispositivos

Um futuro onde memória não será mais o elo fraco

Caso a PoX se consolide como uma solução comercial, poderá eliminar um dos maiores gargalos da computação moderna: o tempo gasto transferindo dados entre armazenamento e processadores.

Em sistemas de IA, por exemplo, a maior parte da energia é consumida movendo dados, e não processando-os. Com a PoX, esse cenário poderá mudar drasticamente.