PoX: RAM de última geração é capaz de gravar dados em apenas 400 picossegundos e armazená-los sem eletricidade.
Uma equipe da Universidade Fudan, em Xangai, na China, liderada pelo professor Zhou Peng, revolucionou a tecnologia de memória RAM com o dispositivo de armazenamento experimental PoX.
A RAM de última geração é capaz de gravar dados em apenas 400 picossegundos. Ou seja, são 25 bilhões de operações por segundo, 10 mil vezes mais rápido do que a memória flash de um laptop comum. A tecnologia utiliza grafeno bidimensional em vez do silício tradicional.
O Pox supera a memória flash, que é muito lenta para aplicações modernas de inteligência artificial com uso intensivo de dados. A pesquisa também usou IA para refinar o processo de design. O resultado foi publicado na revista acadêmica Nature.
Além disso, diferente de tipos tradicionais de RAM, a natureza não volátil do PoX permite armazenar dados sem eletricidade, reduzindo o consumo de energia em servidores de IA até smartphones, por exemplo. Isso significa uma nova classe de dispositivos de inicialização instantânea e chips de IA sem caches SRAM volumosos.
A equipe ainda não divulgou detalhes de desempenho como resistência ou viabilidade de produção em massa. Também não se sabe quanto tempo levará para que essa inovação saia dos laboratórios para chegar ao mercado. No entanto, a expectativa é de que a criação revolucione desde a tecnologia de consumo até sistemas militares, como apontou o site BGR.
A RAM (Random Access Memory) é a memória primária de acesso aleatório do computador. Item essencial para a execução de tarefas. Ela armazena temporariamente os dados e instruções que o processador precisa acessar com rapidez.
Quanto maior a capacidade da RAM, mais dados podem ser mantidos acessíveis, resultando em multitarefas mais fluidas e desempenho geral aprimorado. Diferente do armazenamento de longo prazo (HDs/SSDs), a RAM é volátil. Assim, seus dados são perdidos quando se desliga o computador.
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